1.光普室設計: 一米焦距，帕邢龍格裝置，真空型，恒溫控制（38±0.1０C）,特殊鑄鐵材料制造,最多設置60條通道
2.試樣臺: 充氬樣品臺;內置自循環水冷系統
3.光柵: 根據分析任務,儀器配置以下三種光柵中的一種
4.1080gr/mm,1667gr/mm,2160gr/mm
5.分辨率: 視光柵,出射狹縫和光譜等到級而定
6.狹縫寬度: 入射狹縫:20um; 出射狹縫:25 , 37.5 , 50 , 75um
7.光電倍增管: 直經Φ28mm,10級側窗管,光學玻璃或人造石英窗
8.光源: 電流控制光源(CCS)
9.光譜儀控制: 利用CMOS技術的APL MMB386微處理器,帶狀態控制卡;每條通道均配置數模(A/D)轉換器和衰減器分為41檔;測量電子部分的動態范圍與測量時間成正比,一般為2×106計數/秒
10.12位可編程衰減器
11.時間分辨光譜(TRS)
12.環境要求:室溫:16～30０C,允許溫差為50C/小時;相對濕度20～80%
13.電力要求:電壓230V（ 10%-15%），保護性接地的單相電源
14.（電壓波動超過±10%時需用5KVA穩壓器）。電流12A，頻率50或60Hz；功率2.5KVA;接地電阻<1Ω 15.歐洲標準:89/392/EEC低壓材料,89/366/EEC電磁
16.氬氣要求: 純度99.995%,含量5ppm(分析高Si樣品時,含量為2ppm)
17.流量3.5升/分(分析時),0.35升/分(待機時)
18.幾何尺寸: 長1385(不計激發臺) ×寬910×高1220mm
19.長1690(計激發臺) ×寬910×高1220mm
20.系統重理: 約540公斤
21.輔助設備: 氬氣凈化器 瓶裝氬氣配氣系統 穩壓器 制樣機
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