產品簡介
技術參數品牌：VISHAY型號：SiA413DJ-T1-GE3封裝：QFN-6批次：21+數量：100000類別：分立半導體產品晶體管-FET
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SiA413DJ-T1-GE3 |
| 封裝： | QFN-6 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 100000 |
| 類別： | 分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 制造商： | Vishay Siliconix |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 類型： | P 通道 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 12 V |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 12A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | ， |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 29 毫歐 @ ， |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 57 nC @ 8 V |
| Vgs（值）： | ±8V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 1800 pF @ 10 V |
| 功率耗散（值）： | （Ta），19W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK® SC-70-6 |
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