產品簡介
技術參數品牌：Vishay型號：SI1029X-T1-GE3數量：100制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SC-89-6通道數量：2Channel晶體管極性：N-Channel,P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續漏極電流：500mARdsOn-漏源導通電阻：1
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | Vishay |
| 型號： | SI1029X-T1-GE3 |
| 數量： | 100 |
| 制造商： | Vishay |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SC-89-6 |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續漏極電流： | 500 mA |
| Rds On-漏源導通電阻： | Ohms, 4 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V |
| Qg-柵極電荷： | 750 pC, 1700 pC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 280 mW |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | mm |
| 長度： | mm |
| 系列： | SI1 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 寬度： | mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 200 mS, 100 mS |
| 典型關閉延遲時間： | 20 ns, 35 ns |
| 典型接通延遲時間： | 15 ns, 20 ns |
| 零件號別名： | SI1029X-GE3 |
| 單位重量： | 32 mg |
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