引言：

“ 光刻膠作為掩模進行干法刻蝕或是濕法腐蝕后，一般都是需要及時的去除清洗，而一些高溫或者其他操作往往會導致光刻膠碳化難以去除。”

光刻膠清洗去除常見的幾種方法：

1、化學溶解法：使用特定的溶劑或化學溶液來溶解光刻膠。常用的溶劑包括丙酮、甲苯、丙醇等。

2、等離子體刻蝕：利用等離子體反應室中的氧等離子體對光刻膠進行刻蝕，將其去除。

3、熱解法：通過加熱光刻膠，使其分解或揮發，從而去除光刻膠。

4、機械去除：使用機械手段，如機械刮擦或超聲波清洗等方法，去除光刻膠。

5、濕法去除：將芯片浸泡在特定的化學液體中，使光刻膠軟化并脫落，實現去除。

選擇合適的去除方法取決于光刻膠的類型、厚度以及實際應用需求。

AZ5214 光刻膠在溫度高于120℃烘烤后或者以AZ5214作為掩模在ICP里刻蝕時往往會發生碳化，導致用丙酮難以去除。

1、化學溶解法：可以使用丙酮直接搖床去除。（沒有碳化的）

2、等離子刻蝕：可以使用ICP 氧氣高功率600W去除。但高功率的氧氣會損傷三五族材料，導致電阻變大。（一般是處理碳化后的AZ5214光刻膠，下面有氧化硅等保護。）

3、濕法熱解攪拌去除：可以使用prs3000專門的去膠液，適合用于稍微碳化后的光刻膠，這個一般可以結合熱解法一起去除，同時若芯片上面沒有一些波導結構等，可以同時結合攪拌棒去除。

4、機械去除：簡單粗暴，可以使用藍膜直接粘掉，或者用棉花棒直接擦除，此方法適用于芯片上無任何結構，以及芯片較厚時，一般大于300微米。

最后實在不行，如果基底片可以耐強酸強堿腐蝕的話，可以嘗試用濃硫酸雙氧水等。