探測器是臺式X熒光光譜儀中一個重要的組成期間，它的價格也有很大來去，那具體的原因是什么呢？

按照分辨率高低檔次由低至高常用的探測器有NaI晶體閃爍計數(shù)器，充氣（He, Ne, Ar, Kr, Xe等）正比計數(shù)管器、HgI2晶體探測器、半導(dǎo)體致冷Si PIN 探測器、高純硅晶體探測器、高純鍺晶體探測器、電致冷或液氮致冷Si（Li）鋰漂移硅晶體探測器、Ge（Li）鋰漂移鍺探測器等。

目前常用的是電致冷或液氮致冷Si（Li）鋰漂移硅晶體探測器、Si PIN 探測器、高純硅晶體探測器。

探測器的性能主要體現(xiàn)在對熒光探測的檢出限、分辨率、探測能量范圍的大小等方面。所以一臺X熒光光譜儀檢出限的好壞決定權(quán)就在于探測器的性能差異上了。

低檔探測器有效檢測元素數(shù)量少，對被測物質(zhì)中微量元素較難檢測，分辨率一般在700－1100eV，一般可分析材料基體中元素數(shù)量較少，元素間相鄰較遠(yuǎn)，含量較高的單個元素。

中檔探測器有效檢測元素數(shù)量稍多，對痕量元素較難檢測，分辨率一般在200－300eV， 一般用于檢測的對象元素不是相鄰元素，元素相鄰較遠(yuǎn)（至少相隔1-2個元素以上），基體內(nèi)各元素間影響較小。

高檔探測器可以同時對不同濃度所有元素（一般從Na至U）進(jìn)行檢測，分辨率一般在150－180eV。可同時測定元素周期表中Na-U范圍的任何元素。對痕量檢測可達(dá)幾個ppm量級。

光譜儀的基本內(nèi)部原理結(jié)構(gòu)

Si PIN 探測器、高純硅晶體探測器的分辨率一般是200eV – 270eV，電致冷或液氮致冷Si（Li）鋰漂移硅晶體探測器的分辨率為140eV –165eV。電制冷不需要消耗液氮，但他制冷工藝復(fù)雜，價格也最貴，靠消耗電來制冷，分辨率比液氮稍遜，但也符合rohs檢測的要求。液氮制冷需消耗液氮，使用起來不方便，但液氮的溫度很低，操作者必須注意安全，但它的分辨率比電制冷稍好。這里我們還要看探測器的面積，探測器面積越大，效率越高。測試的時間就越短。市面上探測器面積有5—15mm2不等。