MR-2型磁阻效應實驗儀產品介紹：

磁阻器件由于其靈敏度高、抗力強等優點在工業、交通、儀器儀表、科研、探礦等領域應用十分廣泛，如：數字式羅盤、交通車輛檢測、導航系統位置測量等探測器。磁阻器件品種較多，可分為正常磁電阻，各向異性磁電阻，特大磁電阻，巨磁電阻和隧道磁電阻等。其中正常磁電阻的應用十分普遍。銻化銦（InSb）傳感器是一種價格低廉、靈敏度高的正常磁電阻，有著十分重要的應用價值。它可用于制造在磁場微小變化時測量多種物理量的傳感器。本實驗裝置結構簡單，實驗內容豐富，使用兩種材料的傳感器：砷化鎵（GaAs）作為測磁探頭測量電磁鐵氣隙中的磁感應強度，研究銻化銦（InSb）在一定磁感應強度下的電阻，融合霍爾效應和磁阻效應兩種物理現象，具有科學研究的前瞻性，特別適合大學物理實驗。

MR-2型磁阻效應實驗儀實驗項目：

3.測定通過電磁鐵的勵磁電流IM和電磁鐵氣隙中磁感應強度的關系,觀測GaAs傳感器的霍爾效應。

1.測量銻化銦傳感器的電阻與磁感應強度的關系。

4.作出銻化銦傳感器的電阻變化與磁感應強度的關系曲線。對此關系曲線的非線性區域和線性區域分別進行擬合

2.外接信號發生器，深入研究磁電阻的交流特性（倍頻效應）和觀測其*的物理現象。

MR-2型技術指標：

電壓表量程：±1999.9mV，四位半數字電壓表顯示；

分辨率：0.1mV

數字毫特儀量程：0±1999.9mT

分辨率：0.1mT

準確度優于：1%FS；四位半數字顯示

恒流源

輸出電流：0-1A，連續可調；

分辨率1mA，三位半數字電流表顯示；

內置InSb電阻用恒流源0-4mA