技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | INFINEON英飛凌 |
| 型號(hào)： | IRFB3607PBF |
| 批號(hào)： | 20+ |
| 封裝： | TO-220AB |
| 數(shù)量： | 11501 |
| QQ： | |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術(shù)： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 80A（Tc） |
| 驅(qū)動(dòng)電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（值）： | 9 毫歐 @ 46A，10V |
| 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（值）： | 4V @ 100µA |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 功率耗散（值）： | 140W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 供應(yīng)商器件封裝： | TO-220AB |
| 封裝/外殼： | TO-220-3 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 75 V |
| 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（值）： | 84 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（值）： | 3070 pF @ 50 V |
| 基本產(chǎn)品編號(hào)： | IRFB3607 |
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