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寧波普瑞思儀器科技有限公司

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100CR X射線光譜儀探測(cè)器

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:光譜配件
  • 所在地:寧波市
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2023-02-24 10:05:26
  • 瀏覽次數(shù):5
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生產(chǎn)廠家

  • 經(jīng)營模式:生產(chǎn)廠家
  • 商鋪產(chǎn)品:185條
  • 所在地區(qū):浙江寧波市
  • 注冊(cè)時(shí)間:2023-02-24
  • 最近登錄:2023-02-24
  • 聯(lián)系人:周經(jīng)理 (經(jīng)理)
  • 電    話:13429356185

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

100CR X射線光譜儀探測(cè)器
尺寸:3.751.751.13in(9.54.42.9cm)(mm)
電池種類:鋰電池
測(cè)量精度:1ev
電源電壓:5V(V)
用途:X射線光譜儀
探測(cè)器:SiPIN
重量:139克
鈹窗面積:5 mm2到25 mm2
能量分辨率:5.9kev55Fe
半峰寬:145eV到230eV(取決于探測(cè)器種類和形成時(shí)間常數(shù))

詳情介紹

交易條件供應(yīng)能力
zui小起訂量:1 個(gè)生產(chǎn)率:100
包裝:紙盒加軟綿
交貨期限:10

 
光譜儀探測(cè)器
美國AMPTEK/XR-100CR/XR-100CR是一種新的高性能X射線探測(cè)器,包括前置放大器和制冷系統(tǒng),通過熱電法冷卻的Si-PIN光電二極管作為X射線探測(cè)器。在二級(jí)制冷系統(tǒng)上還裝有輸入場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)新型的反饋電路。這些組件大約-55的環(huán)境下工作,其溫度由一個(gè)內(nèi)置的溫度傳感器控制。探測(cè)器的密封TO-8包裝有一個(gè)缽薄膜窗口,用于軟X射線探測(cè)。XR-100T-CdTe 代表在X-射線探測(cè)器技術(shù)的一個(gè)突破,可提供"現(xiàn)成的"結(jié)果,而以前則只能從昂貴的低溫冷卻系統(tǒng)得到。另外XR-100T-CdTe還適用于伽馬射線的測(cè)量。XR-100CR硅PIN探測(cè)器/XR-100SDD硅漂移X射線探測(cè)器/XR-100T碲化鎘X射線和伽馬射線探測(cè)器/X-123SIN/X-123SDD/X-123CdTe型X射線光譜儀/多道處理器/閃爍體探測(cè)器
 X射線熒光
 ROHS/WEEE標(biāo)準(zhǔn)
 便攜式儀器
 原始設(shè)備制造
 核醫(yī)學(xué)成像
 教學(xué)研究文物考古
 程控
 穆斯堡爾譜儀
 空間物理和天文學(xué)
 環(huán)境X射線檢測(cè)
 有毒物垃圾場(chǎng)監(jiān)測(cè)
 粒子誘發(fā)X射線熒光分析
 XR-100CR
    ◇149eV的分辨率,全固態(tài)無液氮設(shè)計(jì)
    ◇SI-PIN光敏二極管,二級(jí)熱電冷卻器
    ◇內(nèi)置溫度控制監(jiān)測(cè)檢測(cè)器,密封的鈹檢測(cè)窗
    ◇檢測(cè)范圍廣,操作簡(jiǎn)單
 XR-100SDD
    ◇高計(jì)數(shù)率——5000,000 CPS
    ◇對(duì)峰值5.9keV的分辨率為139eV
    ◇High Peak-to-Background Ratio - 6500:1
    ◇規(guī)格為:7 mm2 500 µm
    ◇無液氮
 XR-100CdTe
    ◇CdTe二極管探測(cè)器,熱電冷卻器(Peltier)
    ◇FET冷卻
    ◇鈹檢測(cè)窗,密封包裝(TO-8)
 AXAS 系統(tǒng)
    AXAS系統(tǒng)集成了記錄計(jì)數(shù)率在1.000.000 計(jì)數(shù)/s以上的超快MCA和SDD (硅漂泊二極管)。利用MCDWIN MCA 軟件,AXASMCA可以成為非常小的分光計(jì),從而使獲取光譜變得很容易。它還可以通過USB接口讀取數(shù)據(jù),因此該系統(tǒng)可以通過便攜式計(jì)算機(jī)在任何地點(diǎn)工作。
 
100CR X射線光譜儀探測(cè)器詳細(xì)參數(shù)
探測(cè)器類型:硅針探測(cè)器(Si-PIN)
探測(cè)器尺寸:5 mm2---25 mm2
硅厚度:300µm,500µm,680µm
能量分辨率(5.9kev,55Fe):半峰寬145eV-230eV(取決于探測(cè)器種類和形成時(shí)間常數(shù))
背景記數(shù):<310-3/s,2KeV-150KeV(針對(duì)7mm2/300um探測(cè)器)
探測(cè)器鈹窗厚度:1mil(25µm)或0.5mil(12.5µm)
電荷敏感前置放大器:用戶定制設(shè)計(jì)
增益穩(wěn)定性:<20PPM/(典型)
尺寸:3.751.751.13in(9.54.42.9cm)
重量:139克
總功率:<1瓦
器件壽命:5-10年
操作環(huán)境:0-40
認(rèn)證:TUV
前置放大器功率:正負(fù)8-9V,15mV(不超過50mV的蜂噪音)
探測(cè)器功率: 100V-200V,1µA(取決與探測(cè)器類型),非常穩(wěn)定,偏差<0.1%
制冷器功率:電流zui大值為350mA,電壓zui大值為4V(峰噪音<100mV,)
前置放大器靈敏度:典型值1mV/KeV(對(duì)于不同的探測(cè)器可能有差異)
前置放大器極性:負(fù)信號(hào)輸出(zui大負(fù)載1K歐姆)
前置放大器反饋:通過探測(cè)器電容進(jìn)行重置
溫度靈敏度:PX4通過軟件直接讀取開爾文溫度

 

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