產品簡介:
日本 KST 株式會社成立于 1998 年,作為日本設計并加工半導體及光通信用硅晶圓以及膜產品的公司,KST 株式會社依賴的熱氧化技術可以為客戶提供超厚氧化膜的晶圓產品,這些產品能夠幫助客戶開發新型光通信及 MEMS 器件,并能夠極大的提升量產良率。
SOI 晶圓利用了 KST 的厚熱氧化膜技術特點,是具有壓力傳感器等膜片結構的MEMS 設備的選擇。
產品型號:
應用場景:
具有壓力傳感器等膜片結構的MEMS 設備
深圳市富泰克光電有限公司
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產品簡介:日本KST株式會社成立于1998年,作為日本設計并加工半導體及光通信用硅晶圓以及膜產品的公司,KST株式會社依賴的熱氧化技術可以為客戶提供超厚氧化膜的晶圓產品,這些產品能夠幫助客戶開發新型光通信及MEMS器件,并能夠極大的提升量產良率
產品簡介:
日本 KST 株式會社成立于 1998 年,作為日本設計并加工半導體及光通信用硅晶圓以及膜產品的公司,KST 株式會社依賴的熱氧化技術可以為客戶提供超厚氧化膜的晶圓產品,這些產品能夠幫助客戶開發新型光通信及 MEMS 器件,并能夠極大的提升量產良率。
SOI 晶圓利用了 KST 的厚熱氧化膜技術特點,是具有壓力傳感器等膜片結構的MEMS 設備的選擇。
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具有壓力傳感器等膜片結構的MEMS 設備
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