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深圳市創(chuàng)捷思電子有限公司

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創(chuàng)捷思 場(chǎng)效應(yīng)管 IRF1310NPBF

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):￥ 49
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：IRF1310NPBF
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他三極管
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-06-14 17:53:23
  • 瀏覽次數(shù)：9
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  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：795條
  • 所在地區(qū)：
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

N溝道SiMOSFETIRF1310NPBF,42A,Vds=100V,3針TO-220AB封裝提供龐大且全面的MOSFET設(shè)備組合，其中包括CoolMOS、OptiMOS和StrongIRFET系列

詳情介紹



N溝道 Si MOSFET IRF1310NPBF, 42 A, Vds=100 V, 3針 TO-220AB封裝

提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類 佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

通道類型N
大連續(xù)漏極電流42 A
大漏源電壓100 V
大漏源電阻值36 mΩ
大柵閾值電壓4V
小柵閾值電壓2V
大柵源電壓±20 V
封裝類型TO-220AB
安裝類型通孔
晶體管配置單
引腳數(shù)目3
通道模式增強(qiáng)
類別功率 MOSFET
大功率耗散160 W
典型柵極電荷@Vgs110 nC @ 10 V
低工作溫度-55 °C
典型接通延遲時(shí)間11 ns
每片芯片元件數(shù)目1
晶體管材料Si
尺寸10.54 x 4.69 x 8.77mm
寬度4.69mm
Board Level ComponentsY
高度8.77mm
高工作溫度+175 °C
長(zhǎng)度10.54mm
典型關(guān)斷延遲時(shí)間45 ns
典型輸入電容值@Vds1900 pF@ 25 V
25 V
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