產品簡介
技術參數品牌：ON/安森美型號：FDD9507L-F085封裝：TO-252批次：22+數量：2200制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3晶體管極性：P-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：40VId-連續漏極電流：100ARdsOn-漏源導通電阻：4
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型號： | FDD9507L-F085 |
| 封裝： | TO-252 |
| 批次： | 22+ |
| 數量： | 2200 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-3 |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 40 V |
| Id-連續漏極電流： | 100 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 4.4 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 16 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 3 V |
| Qg-柵極電荷： | 130 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 227 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 配置： | Single |
| 商標： | ON Semiconductor |
| 下降時間： | 132 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 6 ns |
| 工廠包裝數量： | 2500 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 400 ns |
| 典型接通延遲時間： | 10 ns |
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