產品簡介
技術參數品牌：TI/德州儀器型號：CSD17556Q5B封裝：VSON8批次：21+數量：5000類別：分立半導體產品晶體管-FET
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | TI/德州儀器 |
| 型號： | CSD17556Q5B |
| 封裝： | VSON8 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 5000 |
| 類別： | 分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 系列： | NexFET™ |
| FET 類型： | N 通道 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 30 V |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 34A（Ta），100A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 1.4 毫歐 @ 40A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 1.65V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 39 nC @ 4.5 V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 7020 pF @ 15 V |
| 功率耗散（值）： | 3.1W（Ta），191W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | 8-PowerTDFN |
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