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　　射頻晶片探針測試

　　傳統(tǒng)上，尤其在RF測試領域，晶片探針測試通常會被封裝測試代替，這是因為早期的晶片探針和晶片探針接口的設計難于處理在RF頻段上接口之間產(chǎn)生的寄生電容和電感問題，噪聲的處理同樣也是一個大的問題，然而，隨著SIP(System-in-a-package)的出現(xiàn)使封裝更復雜和相應的封裝成本上升，以及直接銷售KGD(Know-good-die)，這些改變使得晶片探針測試很有必要。而且，由于不同功能的晶粒(die)組合在一個封裝里，舉一個最壞的情況，一個良率低的便宜的晶?？赡軗p害整個封裝，使得價格昂貴的晶粒(加上封裝)都沒用。這些需求驅(qū)動著RF晶片探針測試技術前進。

　　SIP的概念同樣進入整合的范疇。對于SIP，測試可以在封裝后進行，也可以在各個部分整合之前晶片階段進行。通常，在大部分封裝測試前，各個組成的晶粒需要單獨進行探針測試，對于RF芯片，現(xiàn)在晶片級必須進行測試，但是在過去對于RF芯片這些測試是盡量避免的。結(jié)果就是，KGD使得RF芯片的晶片探針測試逐漸成為主流。

　　SIP與SOC

　　SOC的正式定義是在單一芯片上構(gòu)建一個系統(tǒng)，然而，最近引入了多個晶粒在一個封裝中，即SIP技術已經(jīng)發(fā)展起來了。在SOC芯片中，核(Core)是在硅片級被整合的。在SIP中，同樣的整合是在封裝級發(fā)生的。隨著SIP的出現(xiàn)，不同的IP(Intellectual Property)可以用在同一個封裝內(nèi)。實際上，在某些情況下，不同廠家的晶粒(die)也可以在一起使用。講到這里我們必須引入一個“內(nèi)核"的術語，所謂內(nèi)核是指一個功能模塊、電路模塊或單獨的IP。內(nèi)核這個術語在傳統(tǒng)的SOC芯片設計和測試領域已經(jīng)使用很多年了，這個概念對于RF測試工程師來說有一點新，這主要是因為只是在最近獨立的RF芯片功能模塊(如低噪聲放大器，混頻器等)才與數(shù)字或模擬功能模塊放到同一個晶粒(die)中。RF內(nèi)核放到SOC或SIP中這兩種集成方法的主要不同是各自相應帶來的成本好處，這些好處可以分別通過其內(nèi)部使用核的函數(shù)表達，這兩種集成方式的不同包括：其內(nèi)核預期的良率和產(chǎn)品封裝的成本。就像決定是去測試各個單獨內(nèi)核還是測試整個SIP，這也是各個獨立內(nèi)核良率的函數(shù)?？紤]到這里，SIP的整體良率就變成下式：

　　YSiP=Ycore1×Ycore2×…×YcoreN

　　因此，可以非常明顯的看到，在一個SIP中有越多的核，SIP的整體良率越依賴于其封裝中各個單獨核的良率。而且，只要有一個良率不好的核就會導致許多其它好的核和整個封裝報廢。然而，從正面來看，如果制造過程得到了很好的控制并且良率很高，等到所有的晶粒被封裝成SIP時，那么測試的成本就會有非常大的減少，尤其當系統(tǒng)級的測試得以實現(xiàn)時。