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DIODES 場效應(yīng)管 DMN6068SE-13 MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHAN

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:DMN6068SE-13
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:雪崩管
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-08-16 15:21:26
  • 瀏覽次數(shù):17
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  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1086條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-07-15
  • 最近登錄:2023-07-15
  • 聯(lián)系人:劉總
  • 電    話:19928755820

產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:DIODES型號:DMN6068SE-13批號:20+封裝:SOT-223-3數(shù)量:30000QQ:制造商:DiodesIncorporatedFET類型:N通道25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):4.1A(Ta)驅(qū)動電壓(RdsOn

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:DIODES
型號:DMN6068SE-13
批號:20+
封裝:SOT-223-3
數(shù)量:30000
QQ:
制造商:Diodes Incorporated
FET 類型:N 通道
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):4.1A(Ta)
驅(qū)動電壓( Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(值):68 毫歐 @ 12A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(值):3V @ 250µA
Vgs(值):±20V
功率耗散(值):2W(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
漏源電壓(Vdss):60V
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(值):10.3nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(值):502pF @ 30V
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