中文名：氧化鎵
外文名：GALLIUM(III) OXIDE
別 名：三氧化二鎵
分子式：Ga2O3
分子量：187.44
CAS號：12024-21-4
EINECS號：234-691-7
應 用：用作高純分析試劑、用于電子工業半導體材料制備。
指標：
性狀：α-Ga2O3為六方晶型，β-Ga2O3屬于單斜晶型。
熔點（oC）：1740
溶解性：不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。
用途：
用作高純分析試劑、用于電子工業半導體材料制備。
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中文名：氧化鎵外文名：GALLIUM(III)OXIDE別名：三氧化二鎵分子式：Ga2O3分子量：187.44CAS號：12024-21-4EINECS號：234-691-7應用：用作高純分析試劑、用于電子工業半導體材料制備
中文名：氧化鎵
外文名：GALLIUM(III) OXIDE
別 名：三氧化二鎵
分子式：Ga2O3
分子量：187.44
CAS號：12024-21-4
EINECS號：234-691-7
應 用：用作高純分析試劑、用于電子工業半導體材料制備。
指標：
性狀：α-Ga2O3為六方晶型，β-Ga2O3屬于單斜晶型。
熔點（oC）：1740
溶解性：不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。
用途：
用作高純分析試劑、用于電子工業半導體材料制備。
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