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FAIRCHILD/仙童 場效應管 FDS4435BZ MOSFET 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:FDS4435BZ
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:沖壓加工
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-10-17 07:48:28
  • 瀏覽次數(shù):11
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其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1039條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-09-07
  • 最近登錄:2023-09-07
  • 聯(lián)系人:林小姐
  • 電    話:15989891386

產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:FAIRCHILD/仙童型號:FDS4435BZ批號:19+封裝:SOP8數(shù)量:2QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:是技術(shù):Si安裝風格:SMD/SMT封裝/箱體:SO-8通道數(shù)量:1Channel晶體管極性:P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30VId-連續(xù)漏極電流:8

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:FAIRCHILD/仙童
型號:FDS4435BZ
批號:19+
封裝:SOP8
數(shù)量:2
QQ:
制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
技術(shù):Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SO-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:8.8 A
Rds On-漏源導通電阻:16 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:PowerTrench
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.75 mm
長度:4.9 mm
系列:FDS4435BZ
晶體管類型:1 P-Channel
類型:MOSFET
寬度:3.9 mm
商標:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:24 S
下降時間:38 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:13 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:68 ns
典型接通延遲時間:12 ns
零件號別名:FDS4435BZ_NL
單位重量:130 mg
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