光電二極管芯片COC （ Chip on Carrier）

通過(guò)與客戶的密切合作，Albis開(kāi)發(fā)了復(fù)雜的裝配解決方案，可滿足對(duì)準(zhǔn)精度、帶寬和布局復(fù)雜性方面的嚴(yán)格要求。Albis雪崩和pin光電二極管產(chǎn)品組合現(xiàn)在可以作為倒裝芯片安裝或引線鍵合器件在定制的2D或3D（環(huán)繞式）載體上提供。

PIN光電二極管芯片COC （ Chip on Carrier）

集成透鏡的112 Gbaud光電二極管芯片|PS60X1

PS60X1是一個(gè)112 Gbaud光電二極管芯片倒裝芯片的組件，該芯片焊接到具有共面接觸布局的金屬化陶瓷載體上。

帶有集成背面透鏡的底部照明InGaAs p-i-n光電二極管結(jié)構(gòu)針對(duì)112 Gbd PAM-4（400GbE和800GbE）單模電信、微波光子鏈路、光纖射頻以及測(cè)試和測(cè)量應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 它在1260至1620 nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)提供出色的響應(yīng)度和高速響應(yīng)。

集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測(cè)區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單高效的光耦合。

集成鏡頭的56 Gbaud光電二極管 | PS40X1

PS40X1是一個(gè)56 Gbaud光電二極管芯片倒裝芯片的組件，該芯片焊接到具有共面接觸布局的金屬化陶瓷載體上。

帶有集成背面透鏡的底部照明InGaAs p-i-n光電二極管結(jié)構(gòu)針對(duì)56 Gbd PAM-4（400GBASE-DR4和400G-FR4）單模電信、微波光子鏈路、光纖射頻以及測(cè)試和測(cè)量應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 它在1260至1620 nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)提供出色的響應(yīng)度和高速響應(yīng)。

集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測(cè)區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單高效的光耦合。

集成透鏡的400G光電二極管陣列 | PS40X4

多個(gè)56 Gbaud光電二極管芯片（多通道56 Gbaud光電二極管芯片）倒裝焊接到金屬化陶瓷載體上的組裝，具有共面G-S-G接觸布局和750 µm的通道間距。 所有光電二極管都以高精度定位。

底部照明InGaAs引腳光電二極管結(jié)構(gòu)與集成背側(cè)透鏡針對(duì)高達(dá)56 Gbd PAM-4（400GBASE-DR4和400G-FR4）單模電信、微波光子鏈路、光纖射頻以及測(cè)試和測(cè)量應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化.它在1260至1620 nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)提供出色的響應(yīng)度和高速響應(yīng)。

集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測(cè)區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單高效的光耦合。

集成透鏡的28 Gb/s光電二極管芯片| PS20X1

PS20X1是一個(gè)28 Gb/s光電二極管芯片倒裝芯片的組件，該芯片焊接到具有共面接觸布局的金屬化陶瓷載體上。

帶有集成背面透鏡的底部照明InGaAs p-i-n光電二極管結(jié)構(gòu)針對(duì)高達(dá)28 Gb/s的數(shù)據(jù)和電信應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，并在1260至1620 nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)提供了出色的響應(yīng)度和高速響應(yīng)。 光電二極管具有低電容并在低偏置電壓下實(shí)現(xiàn)全速。

集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測(cè)區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單高效的光耦合。

集成透鏡28 Gb/s光電二極管陣列 | PS20Xn

PS20Xn是多個(gè)PD20X1光電二極管芯片的組件，倒裝芯片焊接到具有共面接觸布局的金屬化陶瓷載體上。 所有光電二極管都相對(duì)于對(duì)準(zhǔn)特征進(jìn)行了高精度定位，以保證±10 µm的芯片到芯片對(duì)準(zhǔn)。

PD20X1是一款I(lǐng)nGaAs/InP超高速光電二極管芯片，帶有集成背面透鏡。 底部照明p-i-n光電二極管結(jié)構(gòu)針對(duì)高達(dá)28 Gb/s的數(shù)據(jù)和電信應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，并在1260至1620 nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)提供出色的響應(yīng)度和高速響應(yīng)。 光電二極管具有低電容并在低偏置電壓下實(shí)現(xiàn)全速。

集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測(cè)區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單高效的光耦合。

8 Gb/s光電二極管芯片| PS05F1

PS05F1是安裝在陶瓷載體上的單個(gè)環(huán)繞式托架上 PD10F1光電二極管芯片的組件，帶有用于陽(yáng)極和陰極連接的環(huán)繞式金屬焊盤(pán)。

PD10F1是一款I(lǐng)nGaAs/InP高速光電二極管芯片，具有雙焊盤(pán)布局和大光學(xué)孔徑。 頂部照明光電二極管針對(duì)高達(dá)12 Gb/s的單模數(shù)據(jù)和電信應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，并在1260至1620 nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)提供出色的響應(yīng)度和高速響應(yīng)。 在整個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)，增透膜具有低反射率和高回波損耗。 光電二極管經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可在大有源面積和低電容之間實(shí)現(xiàn)平衡，并在低偏置電壓下實(shí)現(xiàn)全速。

4通道倒裝芯片焊接監(jiān)控光電二極管陣列 |PS05J4

四個(gè)InGaAs/InP底部照明光電二極管芯片的單片陣列，具有以標(biāo)準(zhǔn)250 μm間距分隔的大光學(xué)孔徑。 底部照明p-i-n光電二極管結(jié)構(gòu)針對(duì)高達(dá)2.5 Gb/s的數(shù)據(jù)和電信中的低速監(jiān)控應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 它們?cè)?260至1620 nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)提供出色的響應(yīng)度和高速響應(yīng)。

底部照明的4通道光電二極管陣列倒裝焊接在具有環(huán)繞金屬化的陶瓷底座上。

8通道倒裝焊接平衡光電二極管陣列 | PS05J8

八個(gè)InGaAs/InP底部照明光電二極管的單片陣列，具有120 µm的大光學(xué)孔徑，間距為300 µm。 底部照明p-i-n光電二極管結(jié)構(gòu)針對(duì)高達(dá)2.5 Gb/s的數(shù)據(jù)和電信中的低速監(jiān)控應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 它們?cè)?260至1620 nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)提供出色的響應(yīng)度和高速響應(yīng)。

底部照明的8通道光電二極管陣列倒裝焊接在具有環(huán)繞金屬化的陶瓷底座上。 導(dǎo)線設(shè)計(jì)用于使用四對(duì)光電二極管進(jìn)行平衡檢測(cè)。

APD光電二極管芯片COC（ Chip on Carrier）

集成透鏡28 Gb/s雪崩光電二極管芯片| APD20D1

APD20D1是底部照明的28 Gb/s雪崩光電二極管(APD)芯片，帶有集成背面透鏡。 這種創(chuàng)新的APD提供低噪聲倍增和高增益帶寬產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)高靈敏度28G接收器的設(shè)計(jì)。 典型應(yīng)用包括28 Gbaud PAM-4、100GBASE-ER4和25G EPON。

集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測(cè)區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單高效的光耦合。

APD倒裝焊接在金屬化陶瓷載體上，具有共面GSG或Y形接觸焊盤(pán)布局。 大焊盤(pán)允許放置多個(gè)鍵。

集成透鏡的25 Gb/s雪崩光電二極管芯片|APD20B1/C1

底部照明的25 Gb/s雪崩光電二極管(APD)芯片，集成背面透鏡安裝在陶瓷載體上。 這種創(chuàng)新的APD提供低噪聲倍增和高增益帶寬產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)高靈敏度25G接收器的設(shè)計(jì)。 典型應(yīng)用包括28 Gbaud PAM-4、100GBASE-ER4和25G EPON。

集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測(cè)區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單高效的光耦合。

APD倒裝焊接在金屬化陶瓷基板上，具有T形、共面GSG或Y形觸點(diǎn)布局。 大焊盤(pán)允許放置多個(gè)鍵。