主要特點(diǎn):
- 采用26um 1024*256芯片
- 3MHz讀出速度
- 峰值量子效率95%
- TE制冷,*低-100°C
- UltraVac™真空密封技術(shù),保證5年真空質(zhì)保
- 單光窗設(shè)計(jì),將光損失降至*低
- Fringe suppression技術(shù)(邊緣抑制),消除背感光CCD的etalon(干涉)效應(yīng)
- Dual AR 雙鍍膜選項(xiàng),同時(shí)提升紫外及近紅外波段量子效率
| 型號(hào) | DU920P | DU920PBx-DD |
| 芯片類(lèi)型 | BV:背感光,可見(jiàn)波段優(yōu)化 BU:背感光,紫外增強(qiáng)350nm優(yōu)化 BU2:背感光,紫外增強(qiáng)250nm優(yōu)化 BVF:背感光,可見(jiàn)光波段優(yōu)化以及消除近紅外etalon鍍膜 OE:開(kāi)放電極 | BR-DD:背感光深耗盡CCD。帶有消除etalon鍍膜 BEX2-DD:背感光深耗盡CCD。帶有消除etalon鍍膜以及波段擴(kuò)展雙層抗反射膜 |
| 有效像素 | 1024x255 | 1024x256 |
| 像素尺寸(um) | 26x 26 | |
| 探測(cè)面尺寸(mm) | 26.6x6.7 99% fill factor | |
| *低制冷溫度 | ||
| 風(fēng)扇散熱 | -80ºC | |
| 16度循環(huán)水散熱 | -95ºC | |
| 10度循環(huán)水散熱 | -100ºC | |
| *大光譜速度(每秒) | 273(Full Vertical Binning) 1612(Crop Mode 20 rows) 144(OE,Full Vertical Binning) 1149(OE,Crop Mode 20 rows) | 272(Full Vertical Binning) 1587(Crop Mode 20 rows) |
| 光窗 | 單石英窗口,無(wú)鍍膜。防反射膜或MgF2可選 | BR-DD單石英窗口, 防反射鍍膜(900nm優(yōu)化) BEX2-DD:?jiǎn)问⒋翱冢瑹o(wú)鍍膜 |
| 芯片級(jí)別 | 1級(jí)芯片 | |

Newton CCD 溫度-暗噪聲曲線(xiàn)










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