產品簡介
技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SI7234DP-T1-GE3封裝：21+批次：POWERPA數量：5000制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：PowerPAK-SO-8晶體管極性：N-Channel通道數量：2ChannelVds-漏源極擊穿電壓：12VId-連續漏極電流：60ARdsOn-漏源導通電阻：3
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY/威世 |
| 型號： | SI7234DP-T1-GE3 |
| 封裝： | 21+ |
| 批次： | POWERPA |
| 數量： | 5000 |
| 制造商： | Vishay |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | PowerPAK-SO-8 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 2 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 12 V |
| Id-連續漏極電流： | 60 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 3.4 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 4.5 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 600 mV |
| Qg-柵極電荷： | 37 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 46 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Dual |
| 系列： | SI7 |
| 晶體管類型： | 2 N-Channel |
| 正向跨導 - 最小值： | 100 S |
| 下降時間： | 25 ns |
| 上升時間： | 15 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 90 ns |
| 典型接通延遲時間： | 30 ns |
| 零件號別名： | SI7234DP-GE3 |
| 單位重量： | 506.600 mg |
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