產品簡介
技術參數品牌:VISHAY型號:SI3421DV-T1-GE3批號:1920封裝:TSOP-6數量:144000QQ:制造商:VishaySiliconix系列:TrenchFET®FET類型:P通道25°C時電流-連續漏極(Id):8A(Tc)驅動電壓(RdsOn
詳情介紹

技術參數
| 品牌: | VISHAY |
| 型號: | SI3421DV-T1-GE3 |
| 批號: | 1920 |
| 封裝: | TSOP-6 |
| 數量: | 144000 |
| QQ: | |
| 制造商: | Vishay Siliconix |
| 系列: | TrenchFET® |
| FET 類型: | P 通道 |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id): | 8A(Tc) |
| 驅動電壓( Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻(值): | 19.2 毫歐 @ 7A,10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)(值): | 3V @ 250µA |
| Vgs(值): | ±20V |
| 功率耗散(值): | 2W(Ta),4.2W(Tc) |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安裝類型: | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼: | SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 |
| 漏源電壓(Vdss): | 30V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(值): | 69nC @ 10V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(值): | 2580pF @ 15V |
- 上一篇: ON 三極管 MMBT5551LT1G TRANS NPN 160
- 下一篇: ON 電源管理芯片 NCP1117DT50RKG 低壓
所有評論僅代表網友意見,與本站立場無關。