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深圳市共強(qiáng)科技有限公司

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當(dāng)前位置:深圳市共強(qiáng)科技有限公司>>集成電路(IC)>>其他集成電路>> IRFB4115PBF INFINEON 場效應(yīng)管 IRFB4115PBF MOSFET MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nC Qg

INFINEON 場效應(yīng)管 IRFB4115PBF MOSFET MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nC Qg

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:IRFB4115PBF
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他集成電路
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2023-10-30 22:10:19
  • 瀏覽次數(shù):14
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深圳市共強(qiáng)科技有限公司

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  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:957條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時(shí)間:2023-10-30
  • 最近登錄:2023-10-30
  • 聯(lián)系人:周先生
  • 電    話:15012463773

產(chǎn)品簡介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:INFINEON
型號:IRFB4115PBF
批號:1920
封裝:TO-220(TO-220-3)
數(shù)量:10000
QQ:
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:150 V
Id-連續(xù)漏極電流:104 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:9.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V
Qg-柵極電荷:77 nC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:380 W
配置:Single
封裝:Tube
高度:15.65 mm
長度:10 mm
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:4.4 mm
商標(biāo):Infineon / IR
正向跨導(dǎo) - 最小值:97 S
下降時(shí)間:39 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:73 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:41 ns
典型接通延遲時(shí)間:18 ns
零件號別名:SP001565902
單位重量:6 g
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