技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | TI |
| 型號(hào)： | CSD18540Q5B |
| 批號(hào)： | 21+ |
| 封裝： | VSON-8 |
| 數(shù)量： | 1700 |
| QQ： | |
| 對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況： | 含鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求 |
| 濕氣敏感性等級(jí) （MSL）： | 1（無(wú)限） |
| 類別： | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 產(chǎn)品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) |
| 系列： | NexFET™ |
| FET 類型： | N 通道 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 60V |
| 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 100A（Ta） |
| 驅(qū)動(dòng)電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（值）： | 2.2 毫歐 @ 28A，10V |
| 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（值）： | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（值）： | 53nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（值）： | 4230pF @ 30V |
| 功率耗散（值）： | 3.1W（Ta），195W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | 8-PowerTDFN |
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