半導體行業用超純水設備廣泛用于生產計算機硬盤，集成電路芯片，半導體，顯像管，液晶顯示器，線路板等用的純水，對水的純度要求較高，對出水電阻率的要求達到上(MΩ.cm)級，用預RO反滲透作為一級處理，再通過混床進行二次處理，產品水符合電子行業用水相關標準。控制部份采用PLC控制，可實現自動起停，加藥，及沖洗，自動監測各種運行參數，并可實現運行參數的存儲和打印。

　　半導體行業用超純水設備功能

　　脫鹽率高，運行壓力低的進口的低卷式復合反滲透膜，產水水質優良，運行成本低廉，使用壽命長。高效率，低噪聲。

　　半導體行業用超純水設備工藝流程

　　1、預處理-反滲透-水箱-陽床-陰床-混合床-純化水箱-純水泵-紫外線殺菌器-精制混床-精密過濾器-用水對象。

　　2、預處理-一級反滲透-加藥機(PH調節)-中間水箱-第二級反滲透(正電荷反滲膜)-純化水箱-純水泵-紫外線殺菌器-0.2或0.5μm精密過濾器-用水對象。

　　3、預處理-二級反滲透-中間水箱-水泵-EDI裝置-純化水箱-純水泵-紫外線殺菌器-0.2或0.5μm精密過濾器-用水對象。

　　4、預處理-二級反滲透-中間水箱-水泵-EDI裝置-純化水箱-純水泵-紫外線殺菌器-精制混床-0.2或0.5μm精密過濾器-用水對象。

　　水質符合美國ASTM標準，電子部超純水水質標準(18MΩ*cm，15MΩ*cm，2MΩ*cm和0.5MΩ*cm四級)。

　　半導體行業用超純水設備工藝參數

　　水質要求：電除鹽系統的進水水質要求必須是一級反滲透的出水(電導率為4~20μS/cm)或與之相當的水質。

　　1、一般要求

　　2、系統中CO2問題

　　CO2是一個關鍵因素。因為分子的CO2可以透過RO膜進人后續系統中的混床或者EDI中的陰離子交換樹脂，加重陰離子的交換負荷。因此在一些情況下，系統中通過加NaOH來增加，H值，把CO2轉化成碳酸鹽和重碳酸鹽，有效地在RO膜中去除。

　　3、兩級RO出水問題

　　一般認為ROI→ROⅡ→EDI對EDI的出水質量并不一定比ROI -EDI的出水質量好。因為兩級RO出水的電導率在1-2μS/cm，進人到濃水、極水的導電特性不夠，導致模塊電阻上升，電流下降。模塊就不能將離子從主進水流(穿過膜)中遷移到濃水中，產品水的水質會受影響。如果RO出水的電導率小于2μS/cm, EDI濃水的進水電導率應設計在10~100μS/cm范圍內，使濃水出水電導率達到40~100μS/cm的理想值。濃水出水電導率可從濃水進出口濃度和回收率進行平衡計算，然后確定設計方案。為了優化帶有兩級RO-EDI的系統，

　　一般采用的措施有：

　　(l)從級RO出水(電導率大于20μS/cm)供給EDI的濃水、極水供水或從第二級RO進水(電導率大于20μS/cm)供給EDI的濃水、極水。

　　(2)在EDI濃水、極水中加鹽優質NaCI。

　　質量要求

　　氯化鈉(以固體中含量計算)>99.80%。

　　鈣和鎂(以Ca計算)<0. 05%。

　　銅<0. 5× 10-6。

　　鐵<5. 0× 10-6。

　　重金屬(以Pb計算)<2. 0 ×10-6。

　　大約維持電導率在10~100μS/cm,以達到出口水電導率為40~l00μS/cm。加鹽裝置包括計量泵、鹽液計量箱和低液位開關。加鹽泵應采用變頻計量泵，以便在系統運行時由PLC控制劑量。為避免濃水中離子過度積累，需要排放少量濃水。排放掉的濃水由進水補充，控制濃水的電導率在150~600μScm之間(或按照EDI產品要求而定)。

　　4、進水的pH值

　　進水的pH值表示了進水中H+的含量，一般進水控制在5-9.5之間。通常情況下，pH值偏低是由于CO2的溶解引起的。由于是弱電離物質，COZ也是導致水質惡化的因素之一，所以在進EDI系統之前，一般可以安裝一個脫碳裝置，使得水中的CO2控制在5mg/L以下。水中pH值和CO2存在一定溶解關系，理論上當pH>10時。高pH值有助于去除弱電離子，但是前提是必須在進EDI系統前除去Ca2t+、Mg2+等離子。

　　半導體行業用超純水設備應用場合

　　1、半導體材料、器件、印刷電路板和集成電路。

　　2、超純材料和超純化學試劑。

　　3、實驗室和中試車間。

　　4、汽車、家電表面拋光處理。

　　5、其他高科技精微產品 。