硅錠壽命測量儀是的非接觸式測量本體壽命的儀器,適合任意生長硅錠表面任意曲率半徑硅錠測量壽命。也適合單晶硅硅錠和多晶硅硅錠壽命測量。
硅錠壽命測量儀特點
壽命1-10+ms壽命范圍的高純硅測量
測量B-Cz硅生長，不要表面處理
對于多晶硅模塊，可給出壽命和陷阱密度等數(shù)據(jù)。
探測B-O缺陷，鐵污染和表面損傷等
監(jiān)控初始材料在Cz, Fz,多多晶硅或UMG硅的質(zhì)量
硅錠壽命測量儀規(guī)格參數(shù)
測量指標：壽命，電阻率和trap density
壽命測量范圍：100ns~10ms
電阻率測量范圍：0.5~300Ohm-cm
測量分析模式：QSSPC,瞬態(tài)，壽命分析
光偏置范圍：0-50suns
樣品表面：平整表面或者150mm直徑以內(nèi)的多種表面
典型校準范圍：10^13-10^16 cm^-3
光譜：白光和IR光照明
傳感器面積：45x 15mm
測量深度：3mm
工作溫度：20~25度
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