等離子增強(qiáng)型原子層沉積設(shè)備

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

  常規(guī)原子層沉積是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉

積基片上自限制式化學(xué)吸附并在一定溫度下反應(yīng)而形成單原子層沉積

膜的一種方法。不斷重復(fù)這種自限制反應(yīng)就形成所需要厚度的薄膜。

在膜層的均勻性、保形性、階梯覆蓋率以及厚度控制等方面都具有明

顯的優(yōu)勢(shì)。等離子增強(qiáng)型原子層沉積設(shè)備是對(duì)ALD技術(shù)的擴(kuò)展，

通過等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強(qiáng)了前驅(qū)體物質(zhì)的反

應(yīng)活性，從而拓展了ALD對(duì)前驅(qū)源的選擇范圍和應(yīng)用要求，縮短了反應(yīng)

周期的時(shí)間，同時(shí)也降低了對(duì)樣品沉積溫度的要求，可以實(shí)現(xiàn)低溫甚

至常溫沉積，特別適合于對(duì)溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。

另外，等離子體的引入可以進(jìn)一步的去除薄膜中的雜質(zhì)，可以獲得更

低的電阻率和更高的薄膜致密度等。此外，等離子體還可以對(duì)反應(yīng)腔

室進(jìn)行清洗以及對(duì)基片進(jìn)行表面活化處理等。
 

適用范圍：

  具備熱ALD和PE-ALD兩種工作模式，即采用加熱或等離子輔助增強(qiáng)

模式，可沉積多種超薄、高保形性、高臺(tái)階覆蓋能力的高質(zhì)量介質(zhì)薄

膜，包括金屬氧化物和金屬氮化物，厚度可實(shí)現(xiàn)原子層的控制（1

atom-layer/cycle）。

該設(shè)備可沉積薄膜包括：

氧化鋁（Al2O3），氮化鋁(AlN)，氧化硅(SiO2)，氮化硅(Si3N4)，氧

化鉿(HfO2)，氮化鉿(Hf3N4)，氧化鈦(TiO2)，氧化鉭(Ta2O5)，氮化鉭

(TaNx)。
 

上述薄膜典型應(yīng)用舉例：高介電絕緣柵、鈍化層、保護(hù)層、金屬阻擋

層（勢(shì)壘層）等。
 

技術(shù)參數(shù)：

可以加工的襯底尺寸：8 英寸、6英寸、4英寸、3英寸以及破片

鍍膜均勻性：8英寸襯底均勻性優(yōu)于±1%（熱法）， ±2%（等離子體

增強(qiáng)法）

工藝溫度及溫度控制精度：室溫?500°C，沉積溫度控制精度

±1°C，反應(yīng)腔溫度的控制精度在±2°C

傳送模式：自動(dòng)Loadlock傳送系統(tǒng)

應(yīng)用案例：

  ALD可實(shí)現(xiàn)絕緣柵介質(zhì)（高介電常數(shù)）、鈍化層介質(zhì)、保護(hù)層介

質(zhì)、金屬阻擋層介質(zhì)等多種材料原位生長(zhǎng), 可實(shí)現(xiàn)高度保形性鍍膜：