ONDSCALE™ Automated Production Fusion Bonding System

BONDSCALE™ 自動化生產(chǎn)熔合系統(tǒng)

啟用3D集成以獲得更多收益

技術(shù)數(shù)據(jù)

EVG BONDSCALE旨在滿足的融合/分子晶圓鍵合應(yīng)用，包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導體處理中，并幫助解決國際設(shè)備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“更多摩爾"邏輯器件擴展的長期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強的邊緣對齊技術(shù)，與現(xiàn)有的熔融粘合平臺相比，BONDSCALE大大提高了晶圓粘合生產(chǎn)率，并降低了擁有成本（CoO）。

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINI FB XT自動融合系統(tǒng)一起出售，每個平臺針對不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINI FB XT將支持要求更高對準精度的應(yīng)用，例如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。

特征

在單個平臺上的200 mm和300 mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成

支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3D VLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）200、300毫米；

數(shù)量或過程模塊：8；

通量：每小時多40個晶圓

處理系統(tǒng)4個裝載口；

特征

多達八個預處理模塊，例如清潔模塊，LowTemp™等離子活化模塊，對準驗證模塊和脫

膠模塊

XT框架概念通過EFEM（設(shè)備前端模塊）實現(xiàn)吞吐量

光學邊緣對齊模塊：Xmax / Ymax = 18 µm 3σ