EVG®620NT 掩模對準系統（半自動/自動）

EVG®620NT在小的占位面積（150 mm晶圓尺寸）上提供了進的掩模對準技術。

技術數據

EVG620 NT以其多功能性和可靠性而著稱，在小的占位面積上結合了的對準功能和化的總體擁有成本，提供了進的掩模對準技術。它是光學雙面光刻的理想工具，可提供半自動或自動配置以及可選的全外殼Gen 2解決方案，以滿足大批量生產要求和制造標準。操作員友好型軟件，短的掩模和工具更換時間以及高效的服務和支持使它成為任何制造環境的理想解決方案。

EVG620 NT或容納的EVG620 NT Gen2掩模對準系統配備了集成的隔振系統，可在各種應用中獲得曝光效果，例如對薄而厚的抗蝕劑進行曝光，對深腔進行構圖以及可比較的形貌。以及薄而易碎的材料（例如化合物半導體）的加工。此外，半自動和全自動系統配置均支持EVGSmartNIL技術。

特征

晶圓/基板尺寸從碎片到150毫米/ 6&＃39;

系統設計支持光刻工藝的多功能性

易碎，薄或翹曲的多種晶圓尺寸的晶圓處理，更換時間短

帶有間隔墊片的自動無接觸楔形補償程序

自動原點功能，用于對準鍵的居中

具有實時偏移校正的動態對準功能

支持新的UV-LED技術

返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統

自動化系統上的手動基材裝載功能

可以從半自動版本升級為全自動版本

小化系統占地面積和設施要求

多用戶概念（數量的用戶帳戶和配方，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）

的軟件功能以及研發與生產之間的兼容性；敏捷處理和轉換重組；遠程技術支持和SECS / GEM兼容性；

附加功能：鍵對齊 紅外對準 納米壓印光刻（NIL）

技術數據

曝光源：汞光源/紫外線LED光源

的對齊功能：手動對準/原位對準驗證 自動對齊 動態對齊/自動邊緣對齊

對準偏移校正算法：通量

全自動：批生產量：每小時180片

全自動：吞吐量對齊：每小時140片晶圓

晶圓直徑（基板尺寸）：高達150毫米；

對齊方式： 上側對齊：≤± µm ； 底側對齊：≤±1,0 µm ； 紅外校準：≤±2,0 µm