EVG®301 Single Wafer Cleaning System

EVG®301 單晶圓清洗系統(tǒng)

研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)

EVG301半自動化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個清洗站，該清洗站使用標準的去離子水沖洗以及超音速，毛刷和稀釋化學藥品作為附加清洗選項來清洗晶片。

EVG301具有手動加載和預對準功能，是一種多功能的R＆D型系統(tǒng)，適用于靈活的清潔程序和300 mm的能力。

EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對準和鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉(zhuǎn)夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸，從而可以輕松設置不同的工藝。

特征

使用1 MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進行高效清潔

單面清潔刷（選件）

用于晶圓清洗的稀釋化學品

防止從背面到正面的交叉污染

由軟件控制的清潔過程

選件

帶有紅外檢查的預粘接臺

非SEMI標準基材的工具

技術數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米

清潔系統(tǒng)：開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂

腔室：由PP或PFA制成（可選）

清潔介質(zhì)：去離子水（標準），其他清潔介質(zhì)（可選）

旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉(zhuǎn)：3000 rpm（5秒內(nèi)）

超音速噴嘴：頻率：1 MHz（3 MHz選件）

輸出功率：30-60 W

去離子水流量：升/分鐘

有效清潔區(qū)域：? mm

材質(zhì)：聚四氟乙烯

兆聲區(qū)域傳感器：頻率：1 MHz（3 MHz選件）

輸出功率： W /cm2有效面積（輸出200 W）

去離子水流量：升/分鐘

清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時整個晶片的輻射均勻性

材質(zhì)：不銹鋼和藍寶石；刷；材質(zhì)：PVA

可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）；可調(diào)參數(shù)（刷壓縮，介質(zhì)分配）