晶圓/基板尺寸：100 - 200 mm, 150 - 300 mm

預(yù)鍵合腔：

對齊方式：平面對平面或槽口對槽口。

定位精度： X and Y: ±50 µm, Theta: ±°

Bond 力：高達(dá)5 N

鍵波起始位置：柔軟的（卷起） 從晶片邊緣到中心的

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵的選擇）

低溫等離子活化模塊：

不同晶圓尺寸的夾具

金屬離子自由活化

工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體： N2 and O2 和2種附加工藝氣體：高純度氣體（%）、惰性氣體（Ar, He, Ne, 等）和混合氣體（ 95% N2, Ar, He with 5% H2）

通用的質(zhì)量流量控制器：多達(dá)4種工藝氣體的自校準(zhǔn)，可編程至 sccm流量

真空系統(tǒng)：為9×10 -2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵的選擇）

高頻射頻發(fā)生器和匹配裝置

工藝流程和BKM 菜單

清洗站：

敞開腔體、旋轉(zhuǎn)器和清洗臂

腔室：由PP或PFA制成（可選）

清洗介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)）、其他清洗介質(zhì)（可選）

旋轉(zhuǎn)盤：真空吸盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理夾頭（選項(xiàng)）由金屬清制作的無離子清潔潔材料

旋轉(zhuǎn)：高達(dá)3000rpm，5S上升到3000rpm

清洗臂：多達(dá)6條介質(zhì)管道（1個(gè)兆聲帶2條介質(zhì)管道）

介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)）、氨水和*的濃度2%（選項(xiàng)

硅片自動(dòng)處理系統(tǒng)：

EVG850LT一級(jí)潔凈室中全自動(dòng)晶圓機(jī)械手cassette-to-cassette 或者FOUP-to-FOUP可選保證現(xiàn)場24小時(shí)運(yùn)轉(zhuǎn)實(shí)現(xiàn)高量產(chǎn)。與晶片接觸的表面不會(huì)造成任何金屬離子污染。

可選功能：

- 1級(jí)潔凈室

-紅外檢測

根據(jù)美國聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)209e