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XILINX FPGA現場可編程邏輯器件 XC2VP40-6FF1152I FPGA - 現場可編程門陣列 43632 Logic Cells 12 Rocket IOs 2 Power PC 405 參考價 ￥面議
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品牌 型號 XC2VP40-6FF1152I 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 6 技術參數品牌：XILINX型號：XC2VP40-6FF1152I批號：21+封裝：BGA數量：5000QQ：制造商：Xilinx產品種類：FPGA-現場可編程門陣列邏輯元件數量：43632輸入/輸出端數量：692I/O工作電源電壓：1對比
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TI 電源 PTH08T240WAD 非隔離式DC/DC轉換器 10A 4.5-14V-Input Wide-Out Adj Pwr Mdl 參考價 ￥面議
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品牌 型號 PTH08T240WAD 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 8 技術參數品牌：TI型號：PTH08T240WAD批號：21+封裝：DIP數量：5000QQ：制造商：TexasInstruments產品種類：非隔離式DC/DC轉換器RoHS：是輸出端數量：1Output輸入電壓：4對比
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NXP MMRF1310HR5 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 Lateral N-Channel Broadbａnd RF Power MOSFET, 1.8-600... 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MMRF1310HR5 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 11
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SPANSION 存儲IC S29GL128P10TFI010 NOR閃存 128Mb 3V 110ns Parallel NOR閃存 參考價 ￥面議
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品牌 型號 S29GL128P10TFI010 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 7 技術參數品牌：SPANSION型號：S29GL128P10TFI010批號：21+封裝：TSOP56數量：5000QQ：制造商：CypressSemiconductor產品種類：NOR閃存RoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TSOP-56系列：S29GL-P存儲容量：128Mbit電源電壓-最小：2對比
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POWER AC-DC（開關電源芯片） TOP260EN DIP 21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 TOP260EN 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 4
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ADI 集成電路、處理器、微控制器 AD574ASD 模數轉換器 - ADC IC, MONO 12-BIT A/D CONV 參考價 ￥面議
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品牌 型號 AD574ASD 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 5 技術參數品牌：ADI型號：AD574ASD批號：21+封裝：DIP數量：5000QQ：制造商：AnalogDevicesInc對比
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TI 數字隔離接口芯片 ISO7221ADR 數字隔離器 Dual CH 1/1 1Mbps Dig Iso 參考價 ￥面議
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品牌 型號 ISO7221ADR 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 5 技術參數品牌：TI型號：ISO7221ADR批號：21+封裝：SOP-8數量：5000QQ：制造商：TexasInstruments產品種類：數字隔離器RoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOIC-8系列：ISO7221A通道數量：2Channel極性：Unidirectional絕緣電壓：2對比
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NXP MMRF1007HR5 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MMRF1007HR5 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 10
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SMSC 電機驅動器及控制器 LAN9115-MT QFP 21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 LAN9115-MT 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 6
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ISO7221CDR 數字信號隔離模塊 TI 數字隔離器 Dual CH 1/1 25Mbps Dig Iso 參考價 ￥面議
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品牌 型號 ISO7221CDR 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 6 技術參數品牌：TI型號：ISO7221CDR批號：21+封裝：SOIC8數量：8000QQ：制造商：TexasInstruments產品種類：數字隔離器RoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOIC-8系列：ISO7221C通道數量：2Channel極性：Unidirectional絕緣電壓：2對比
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POWER AC-DC（開關電源芯片） TOP221YN TO-220 21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 TOP221YN 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 4
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ALTERA FPGA現場可編程邏輯器件 EP2C70F672I8 FPGA - 現場可編程門陣列 FPGA - Cyclone II 4276 LABs 422 IOs 參考價 ￥面議
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品牌 型號 EP2C70F672I8 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 5 技術參數品牌：ALTERA型號：EP2C70F672I8批號：21+封裝：BGA數量：5000QQ：制造商：Intel產品種類：FPGA-現場可編程門陣列RoHS：N產品：CycloneII邏輯元件數量：68416邏輯數組塊數量——LAB：4276輸入/輸出端數量：422I/O工作電源電壓：1對比
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FAIRCHILD仙童 光隔離器 MOC3042M 三極與 SCR 輸出光電耦合器 DIP-6 ZERO TRIAC 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MOC3042M 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 4
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MAX 集成電路、處理器、微控制器 MAX3232CPE 11 21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MAX3232CPE 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 4
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XILINX XC2V3000-5FG676C BGA 21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 XC2V3000-5FG676C 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 5
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ADI 數字信號隔離模塊 ADUM1200ARZ-RL7 數字隔離器 DUAL-CHANNEL DIGITAL ISOLATORS 參考價 ￥面議
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品牌 型號 ADUM1200ARZ-RL7 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 3 技術參數品牌：ADI型號：ADUM1200ARZ-RL7批號：21+封裝：SOP數量：5000QQ：制造商：AnalogDevicesInc對比
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NXP 場效應管 MRFE6S9045NR1 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 HV6E 45W NI270-2 FET 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MRFE6S9045NR1 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 7 技術參數品牌：NXP型號：MRFE6S9045NR1批號：20+封裝：數量：1000QQ：對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：3（168小時）類別：分立半導體產品產品族：晶體管-FET對比
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NXP 場效應管 MRF6V2010NR1 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 VHV6 10W TO270-2N 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MRF6V2010NR1 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 6 技術參數品牌：NXP型號：MRF6V2010NR1批號：20+封裝：數量：1000QQ：制造商：NXP產品種類：射頻金屬氧化物半導體場效應(RFMOSFET)晶體管RoHS：是晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：110V增益：23對比
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NXP MMRF2007NR1 FET RF 2CH 70V 940MHZ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MMRF2007NR1 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 7 技術參數品牌：NXP型號：MMRF2007NR1批號：20+封裝：數量：1000QQ：描述：FETRF2CH70V940MHZ對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：3（168小時）詳細描述：RFMosfetLDMOS28V60mA940MHz32對比
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NXP 場效應管 MRFE6VP5600HR6 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 VHV6 600W 50V NI1230H 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MRFE6VP5600HR6 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 8 技術參數品牌：NXP型號：MRFE6VP5600HR6批號：20+封裝：數量：1000QQ：對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：不適用類別：分立半導體產品產品族：晶體管-FET對比
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NXP AFV141KHSR5 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 Airfast RF Power LDMOS Transistors, 1200-1400 MHz, 1... 參考價 ￥面議
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品牌 型號 AFV141KHSR5 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 5 技術參數品牌：NXP型號：AFV141KHSR5批號：20+封裝：數量：1000QQ：制造商：NXP產品種類：射頻金屬氧化物半導體場效應(RFMOSFET)晶體管晶體管極性：N-Channel技術：SiId-連續漏極電流：2對比
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NXP 場效應管 MRFE6VP6300HR3 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MRFE6VP6300HR3 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 10 技術參數品牌：NXP型號：MRFE6VP6300HR3批號：20+封裝：數量：1000QQ：制造商：NXP產品種類：射頻金屬氧化物半導體場效應(RFMOSFET)晶體管RoHS：是晶體管極性：N-Channel技術：SiVds-漏源極擊穿電壓：130V增益：26對比
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NXP AFT20P140-4WGNR3 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V 參考價 ￥面議
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品牌 型號 AFT20P140-4WGNR3 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 5
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NXP RF放大器 MD7IC2250NBR1 射頻放大器 HV7IC 2100MHZ TO272WB14 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MD7IC2250NBR1 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 9
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NXP 場效應管 MRF8P8300HR6 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 HV8-800 28V NI1230H 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MRF8P8300HR6 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 9 技術參數品牌：NXP型號：MRF8P8300HR6批號：20+封裝：數量：1000QQ：制造商：NXP產品種類：射頻金屬氧化物半導體場效應(RFMOSFET)晶體管RoHS：是晶體管極性：N-Channel技術：SiVds-漏源極擊穿電壓：70V工作頻率：0對比
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NXP 場效應管 AFT09S220-02NR3 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 HV9 900MHz 30W OM780-2L 參考價 ￥面議
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品牌 型號 AFT09S220-02NR3 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 7
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NXP 場效應管 MRFE6S9125NR1 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 HV6E 125W 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MRFE6S9125NR1 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 6 技術參數品牌：NXP型號：MRFE6S9125NR1批號：20+封裝：數量：1000QQ：制造商：NXP產品種類：射頻金屬氧化物半導體場效應(RFMOSFET)晶體管RoHS：是晶體管極性：N-Channel技術：SiVds-漏源極擊穿電壓：-500mV,66V增益：20對比
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NXP MRFX1K80NR5 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MRFX1K80NR5 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 7 技術參數品牌：NXP型號：MRFX1K80NR5批號：20+封裝：數量：1000QQ：制造商：NXP產品種類：射頻金屬氧化物半導體場效應(RFMOSFET)晶體管RoHS：是晶體管極性：DualN-Channel技術：SiId-連續漏極電流：43AVds-漏源極擊穿電壓：-500mV,179V增益：24對比
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NXP RF放大器 MW7IC2725NR1 射頻放大器 HV7 2700MHZ 4W TO270WB16 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MW7IC2725NR1 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 4 技術參數品牌：NXP型號：MW7IC2725NR1批號：20+封裝：數量：1000QQ：制造商：NXP產品種類：射頻放大器RoHS：是安裝風格：SMD/SMT類型：PowerAmplifier工作頻率：2對比
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NXP A2I20H060GNR1 IC TRANS RF LDMOS 參考價 ￥面議
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品牌 型號 A2I20H060GNR1 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 6
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NXP 場效應管 MRF8S9232NR3 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 HV8 900MHZ 60W OM780-2 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MRF8S9232NR3 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 6 技術參數品牌：NXP型號：MRF8S9232NR3批號：20+封裝：數量：1000QQ：制造商：NXP產品種類：射頻金屬氧化物半導體場效應(RFMOSFET)晶體管RoHS：是晶體管極性：N-Channel技術：SiVds-漏源極擊穿電壓：70V增益：18對比
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NXP MHT1002GNR3 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercia... 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MHT1002GNR3 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 6
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NXP A2G26H281-04SR3 射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W ... 參考價 ￥面議
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品牌 型號 A2G26H281-04SR3 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 5 技術參數品牌：NXP型號：A2G26H281-04SR3批號：20+封裝：數量：1000QQ：制造商：NXP產品種類：射頻結柵場效應晶體管(RFJFET)晶體管RoHS：是技術：GaN增益：14對比
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NXP A2T18S162W31GSR3 IC TRANS RF LDMOS 參考價 ￥面議
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品牌 型號 A2T18S162W31GSR3 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 7 技術參數品牌：NXP型號：A2T18S162W31GSR3批號：20+封裝：數量：1000QQ：描述：ICTRANSRFLDMOS對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：不適用詳細描述：RFMosfetLDMOS28V1A1對比
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NXP MMRF1320NR1 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 1... 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MMRF1320NR1 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 6
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NXP MMRF1011HR5 FET RF 100V 1.4GHZ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MMRF1011HR5 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 6 技術參數品牌：NXP型號：MMRF1011HR5批號：20+封裝：數量：1000QQ：描述：FETRF100V1對比
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NXP 場效應管 MW6S010NR1 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MW6S010NR1 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 5
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NXP A2T20H160W04NR3 RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4 參考價 ￥面議
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品牌 型號 A2T20H160W04NR3 類型 其他場效應管 廠商性質 其他 更新時間 2023-08-23 瀏覽次數 5
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