N溝道 Si MOSFET BUZ11_NR4941, 30 A, Vds=50 V, 3針 TO-220AB封裝、
增強模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
增強模式場效應晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的高單元密度的 DMOS 技術進行生產。 這種高密度工藝設計用于盡量減小通態電阻，提供耐用可靠的性能和快速切換。
MOSFET 晶體管，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 *的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供的設計可靠性，以減少結電容和反向恢復電荷，無需額外外部元件即可保持系統啟動和運行更長時間。
| 通道類型 | N |
| 大連續漏極電流 | 30 A |
| 大漏源電壓 | 50 V |
| 大漏源電阻值 | 40 mΩ |
| 小柵閾值電壓 | 2.1V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 引腳數目 | 3 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 75 W |
| Board Level Components | Y |
| 高度 | 16.51mm |
| 高工作溫度 | +150 °C |
| 寬度 | 4.83mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 尺寸 | 10.67 x 4.83 x 16.51mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型接通延遲時間 | 30 ns |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 長度 | 10.67mm |
| 典型輸入電容值@Vds | 1500 pF@ 25 V |
| 典型關斷延遲時間 | 180 ns |
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。