N溝道 Si MOSFET SPP11N60C3, 11 A, Vds=600 V, 3針 TO-220封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續(xù)漏極電流 | 11 A |
| 大漏源電壓 | 600 V |
| 大漏源電阻值 | 380 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 3.9V |
| 小柵閾值電壓 | 2.1V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 125 W |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 寬度 | 10.26mm |
| 典型輸入電容值@Vds | 1200 pF@ 25 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 45 nC @ 10 V |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 尺寸 | 8.64 x 10.26 x 4.4mm |
| 長度 | 8.64mm |
| 典型接通延遲時間 | 10 ns |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型關(guān)斷延遲時間 | 44 ns |
| 高工作溫度 | +150 °C |
| 系列 | CoolMOS C3 |
| 高度 | 4.4mm |
| Board Level Components | Y |
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