產品簡介
P溝道MOSFED25P03LT4G,25A,Vds=30V,3針DPAK封裝通道類型P大連續漏極電流25A大漏源電壓30V大漏源電阻值90mΩ大柵閾值電壓2V大柵源電壓±15V封裝類型DPAK安裝類型表面貼裝晶體管配置單引腳數目3通道模式增強類別功率MOSFET大功率耗散75WBoardLevelComponentsY每片芯片元件數目1寬度6
詳情介紹
P溝道 MOSFET NTD25P03LT4G, 25 A, Vds=30 V, 3針 DPAK封裝
| 通道類型 | P |
| 大連續漏極電流 | 25 A |
| 大漏源電壓 | 30 V |
| 大漏源電阻值 | 90 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 2V |
| 大柵源電壓 | ±15 V |
| 封裝類型 | DPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 引腳數目 | 3 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 75 W |
| Board Level Components | Y |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 6.22mm |
| 高度 | 2.38mm |
| 長度 | 6.73mm |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型接通延遲時間 | 9 ns |
| 典型柵極電荷@Vgs | 15 nC @ V @ -5 |
| 典型輸入電容值@Vds | 900 pF@ -25 V |
| 典型關斷延遲時間 | 15 ns |
| 高工作溫度 | +150 °C |
| 低工作溫度 | -55 °C |
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