產品簡介
N溝道SiMOSFETBUK9608-55,75A,Vds=55V,3針D2PAK封裝通道類型N大連續漏極電流75A大漏源電壓55V大漏源電阻值8mΩ大柵閾值電壓2V小柵閾值電壓1V大柵源電壓±10V封裝類型D2PAK安裝類型表面貼裝晶體管配置單引腳數目3通道模式增強類別功率MOSFET大功率耗散18
詳情介紹
N溝道 Si MOSFET BUK9608-55, 75 A, Vds=55 V, 3針 D2PAK封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續漏極電流 | 75 A |
| 大漏源電壓 | 55 V |
| 大漏源電阻值 | 8 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 2V |
| 小柵閾值電壓 | 1V |
| 大柵源電壓 | ±10 V |
| 封裝類型 | D2PAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 引腳數目 | 3 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 18.7 W |
| Board Level Components | Y |
| 高度 | 4.5mm |
| 高工作溫度 | +175 °C |
| 長度 | 10.3mm |
| 尺寸 | 10.3 x 9.4 x 4.5mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型接通延遲時間 | 45 ns |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 典型輸入電容值@Vds | 5200 pF@ 25 V |
| 典型關斷延遲時間 | 225 ns |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 9.4mm |
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