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深圳市創(chuàng)捷思電子有限公司

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IKW75N60T K75T60 晶體管 75A600V 大功率IGBT 電焊機(jī)變頻器TO247

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):￥ 20
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：IKW75N60T
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-06-14 17:10:29
  • 瀏覽次數(shù)：8
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  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：795條
  • 所在地區(qū)：
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IKW75N60TIGBT,75A,Vce=600V,3針TO-247封裝IGBT分立Infineon 分散IGBT系列提供不同的技術(shù)，如NPT、N通道TRENCHSTOPTM 和Fieldstop

詳情介紹





IKW75N60T IGBT, 75A, Vce=600 V, 3針 TO-247封裝

IGBT 分立

Infineon 分散 IGBT 系列提供不同的技術(shù)，如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它們可用于很多可能需要硬切換和軟切換的應(yīng)用。 這包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、UPS、逆變器、家用電器和感應(yīng)烹飪。 有些設(shè)備可能具有防并聯(lián)二極管或整體集成二極管。

IGBT 分立件和模塊

絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中，將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。

大連續(xù)集電極電流80 A
大集電極-發(fā)射極電壓600 V
大柵極發(fā)射極電壓±20V
大功率耗散428 W
封裝類型TO-247
安裝類型通孔
引腳數(shù)目3
配置單
晶體管配置單
長(zhǎng)度16.03mm
寬度21.1mm
高度5.16mm
尺寸16.03 x 21.1 x 5.16mm
低工作溫度-40 °C
高工作溫度+175 °C

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