P溝道 Si MOSFET FQP17P10, 16.5 A, Vds=100 V, 3針 TO-220AB封裝
QFET® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用*的技術為廣泛的應用提供 佳的工作性能，包括電源、PFC（功率因數校正）、直流－直流轉換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮流器和運動控制。
它們通過降低導通電阻 (RDS(on)) 來減少通態損耗，并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用*的 QFET® 工藝技術，Fairchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設備更高的品質因素 (FOM)。
MOSFET 晶體管，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 *的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供的設計可靠性，以減少結電容和反向恢復電荷，無需額外外部元件即可保持系統啟動和運行更長時間。
| 通道類型 | P |
| 大連續漏極電流 | 16.5 A |
| 大漏源電壓 | 100 V |
| 大漏源電阻值 | 190 mΩ |
| 小柵閾值電壓 | 2V |
| 大柵源電壓 | ±30 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 10000 mW |
| 典型關斷延遲時間 | 45 ns |
| 典型輸入電容值@Vds | 850 pF @ 25 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 30 nC @ 10 V |
| 尺寸 | 10.1 x 4.7 x 9.4mm |
| 長度 | 10.1mm |
| 寬度 | 4.7mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型接通延遲時間 | 17 ns |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| Board Level Components | Y |
| 高度 | 9.4mm |
| 高工作溫度 | +175 °C |
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