產品簡介
N溝道SiMOSFETSTH310N10F7-6,180A,Vds=100V,7針H2PAK封裝通道類型N大連續漏極電流180A大漏源電壓100V大漏源電阻值2
詳情介紹
N溝道 Si MOSFET STH310N10F7-6, 180 A, Vds=100 V, 7針 H2PAK封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續漏極電流 | 180 A |
| 大漏源電壓 | 100 V |
| 大漏源電阻值 | 2.3 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 小柵閾值電壓 | 2.5V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | H2PAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 引腳數目 | 7 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 315 W |
| 典型關斷延遲時間 | 148 ns |
| 典型輸入電容值@Vds | 12800 pF @ 25 V |
| 典型接通延遲時間 | 62 ns |
| 典型柵極電荷@Vgs | 180 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 10.4mm |
| 高工作溫度 | +175 °C |
| 系列 | STripFET H7 |
| 高度 | 4.8mm |
| Board Level Components | Y |
| 晶體管材料 | Si |
| 尺寸 | 15.25 x 10.4 x 4.8mm |
| 長度 | 15.25mm |
| 低工作溫度 | -55 °C |
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