產品簡介
N溝道SiMOSFETSTP60NF06,60A,Vds=60V,3針TO-220封裝通道類型N大連續漏極電流60A大漏源電壓60V大漏源電阻值16mΩ大柵閾值電壓4V小柵閾值電壓2V大柵源電壓±20V封裝類型TO-220安裝類型通孔晶體管配置單引腳數目3通道模式增強類別功率MOSFET大功率耗散150W尺寸10
詳情介紹
N溝道 Si MOSFET STP60NF06, 60 A, Vds=60 V, 3針 TO-220封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續漏極電流 | 60 A |
| 大漏源電壓 | 60 V |
| 大漏源電阻值 | 16 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 4V |
| 小柵閾值電壓 | 2V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 引腳數目 | 3 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 150 W |
| 尺寸 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm |
| 長度 | 10.4mm |
| 典型關斷延遲時間 | 43 ns |
| 典型輸入電容值@Vds | 1810 pF@ 25 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 49 nC @ 10 V |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 典型接通延遲時間 | 16 ns |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| Board Level Components | Y |
| 寬度 | 4.6mm |
| 高度 | 9.15mm |
| 系列 | STripFET II |
| 高工作溫度 | +175 °C |
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