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AFT05MS006NT1 NXP PLD-1.5 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 參考價 ￥面議
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品牌 型號 AFT05MS006NT1 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-23 瀏覽次數 11 技術參數品牌：NXP型號：AFT05MS006NT1批號：1512+封裝：PLD-1對比
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TI 場效應管 CSD19533Q5A MOSFET 100V 7.8mOhm N-CH Pwr MOSFET 參考價 ￥面議
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品牌 型號 CSD19533Q5A 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-23 瀏覽次數 11 深圳市鼎芯美電子有限公司是品牌的電子元器件分銷商，以及相關電子技術支持、方案設計的專業性服務公司對比
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FAIRCHI 場效應管 FQA9N90C TO-3PN-3 20+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FQA9N90C 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-22 瀏覽次數 11
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AOS 場效應管 AO3401 MOSFET P-CH 30V SOT23 參考價 ￥面議
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品牌 型號 AO3401 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-22 瀏覽次數 10 技術參數品牌：AOS型號：AO3401批號：20+封裝：SOT23數量：20000QQ：對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：分立半導體產品產品族：晶體管-FET對比
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AOS 場效應管 AON7804 MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN 參考價 ￥面議
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品牌 型號 AON7804 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-22 瀏覽次數 13
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AOS 場效應管 AOD2922 MOSFET N-CH 100V 3.5A TO252 參考價 ￥面議
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品牌 型號 AOD2922 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-22 瀏覽次數 16 技術參數品牌：AOS型號：AOD2922批號：20+封裝：TO252數量：20000QQ：對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：有源產品族：分立半導體產品系列：晶體管-FET對比
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AOS 場效應管 AO3419 MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 參考價 ￥面議
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品牌 型號 AO3419 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-22 瀏覽次數 14 技術參數品牌：AOS型號：AO3419批號：20+封裝：SOT23數量：20000QQ：描述：MOSFETP-CH20V3對比
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VISHAY 場效應管 SI2307CDS-T1-GE3 MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23 參考價 ￥面議
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品牌 型號 SI2307CDS-T1-GE3 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-22 瀏覽次數 14 技術參數品牌：VISHAY型號：SI2307CDS-T1-GE3批號：20+封裝：SOT-23數量：20000QQ：制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-23-3晶體管極性：P-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續漏極電流：3對比
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AOS 場效應管 AO3422 MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23 參考價 ￥面議
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品牌 型號 AO3422 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-22 瀏覽次數 11 技術參數品牌：AOS型號：AO3422批號：20+封裝：SOT23-3數量：20000QQ：描述：MOSFETN-CH55V2對比
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WINSOK 場效應管 STN3NF06L SOT223 20+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STN3NF06L 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-22 瀏覽次數 15
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IR 場效應管 IRFP260NPBF TO-247 20+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 IRFP260NPBF 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-22 瀏覽次數 8
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Onsemi 場效應管 FGH60N60SFDTU IGBT 晶體管 N-Ch/ 60A 600V FS 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FGH60N60SFDTU 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-22 瀏覽次數 14
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Onsemi 場效應管 FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FDN360P 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-22 瀏覽次數 20
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Onsemi 場效應管 NTJD1155LT1G MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift 參考價 ￥面議
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品牌 型號 NTJD1155LT1G 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-22 瀏覽次數 15 技術參數品牌：Onsemi型號：NTJD1155LT1G批號：21+封裝：SOT363數量：60000QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SC-88-6通道數量：2Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：8VId-連續漏極電流：1對比
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Onsemi 場效應管 FDN5630 MOSFET SSOT-3 N-CH 60V 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FDN5630 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-22 瀏覽次數 14 技術參數品牌：Onsemi型號：FDN5630批號：21+封裝：SOT-23數量：60000QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SSOT-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續漏極電流：1對比
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Onsemi 場效應管 SMMBFJ310LT1G JFET SS JFET XSTR SPCL 參考價 ￥面議
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品牌 型號 SMMBFJ310LT1G 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-22 瀏覽次數 17
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Onsemi 場效應管 FDC6318P MOSFET - 陣列 2 個 P 溝道（雙） 12V 2.5A 700mW 表面貼裝型 SuperSOT™-6 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FDC6318P 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-22 瀏覽次數 14 技術參數品牌：Onsemi型號：FDC6318P批號：21+封裝：SOT23-6數量：60000QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SSOT-6晶體管極性：P-Channel通道數量：2ChannelVds-漏源極擊穿電壓：12VId-連續漏極電流：2對比
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Onsemi 場效應管 2N7002LT1G MOSFET 60V 115mA N-Channel 參考價 ￥面議
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品牌 型號 2N7002LT1G 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-22 瀏覽次數 12
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Onsemi 場效應管 NVR5198NLT1G MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH 參考價 ￥面議
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品牌 型號 NVR5198NLT1G 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-22 瀏覽次數 14 技術參數品牌：Onsemi型號：NVR5198NLT1G批號：21+封裝：SOT23數量：60000QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-23-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續漏極電流：2對比
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Onsemi 場效應管 FQP13N50C 通孔 N 通道 13A（Tc） 195W（Tc） TO-220-3 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FQP13N50C 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-21 瀏覽次數 10 技術參數品牌：Onsemi型號：FQP13N50C批號：21+封裝：TO-220數量：1000QQ：制造商：ONSemiconductor系列：QFET®FET類型：N通道技術：MOSFET（金屬氧化物）25°C時電流-連續漏極(Id)：13A（Tc）驅動電壓（RdsOn對比
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Onsemi 場效應管 FDL100N50F MOSFET N-CH 500V 100A TO-264 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FDL100N50F 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-21 瀏覽次數 15
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Onsemi 場效應管 FCH099N60E MOSFET SuperFET2 600V Slow version 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FCH099N60E 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-21 瀏覽次數 12
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Onsemi 場效應管 SCH1331-TL-H MOSFET P-CH 12V 3A SCH6 參考價 ￥面議
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品牌 型號 SCH1331-TL-H 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-21 瀏覽次數 8 技術參數品牌：Onsemi型號：SCH1331-TL-H批號：21+封裝：N/A數量：30000QQ：描述：MOSFETP-CH12V3ASCH6對無鉛要求的達標情況：無鉛濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）詳細描述：表面貼裝型-P-通道-12V-3A（Ta）-1W（Ta）-6-SCH數據列表：SCH1331對比
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Onsemi 場效應管 FCD7N60TM MOSFET N-CH 600V 7A DPAK 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FCD7N60TM 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-21 瀏覽次數 6
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Onsemi 場效應管 FQT3P20TF MOSFET -200V Single 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FQT3P20TF 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-21 瀏覽次數 6
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Onsemi 場效應管 FDT3612 MOSFET 100V NCh PowerTrench 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FDT3612 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-21 瀏覽次數 8 技術參數品牌：Onsemi型號：FDT3612批號：21+封裝：N/A數量：80000QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-223-4通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：100VId-連續漏極電流：3對比
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Onsemi 場效應管 FQP17P10 MOSFET P-CH 100 16.5A TO220-3 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FQP17P10 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-21 瀏覽次數 7 技術參數品牌：Onsemi型號：FQP17P10批號：21+封裝：N/A數量：1000QQ：描述：MOSFETP-CH10016對比
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Onsemi 場效應管 FDC6312P MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FDC6312P 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-21 瀏覽次數 14 技術參數品牌：Onsemi型號：FDC6312P批號：21+封裝：N/A數量：60000QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SSOT-6通道數量：2Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：20VId-連續漏極電流：2對比
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Onsemi 場效應管 FGAF40N60SMD IGBT 晶體管 600 V 80 A 79 W 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FGAF40N60SMD 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-21 瀏覽次數 8 技術參數品牌：Onsemi型號：FGAF40N60SMD批號：21+封裝：N/A數量：600QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：IGBT晶體管RoHS：是技術：Si封裝/箱體：TO-3PF安裝風格：ThroughHole集電極—發射極電壓VCEO：600V集電極—射極飽和電壓：2對比
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Onsemi 場效應管 FQA28N50 通孔 N 通道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3P 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FQA28N50 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-21 瀏覽次數 10 技術參數品牌：Onsemi型號：FQA28N50批號：21+封裝：TO-3P數量：600QQ：制造商：ONSemiconductor系列：QFET®FET類型：N通道技術：MOSFET（金屬氧化物）25°C時電流-連續漏極(Id)：28.4A（Tc）驅動電壓（RdsOn對比
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Onsemi 場效應管 FDP51N25 通孔 N 通道 51A（Tc） 320W（Tc） TO-220-3 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FDP51N25 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-21 瀏覽次數 8
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Onsemi 場效應管 FQU5P20TU TO-251 21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FQU5P20TU 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-21 瀏覽次數 7 技術參數品牌：Onsemi型號：FQU5P20TU批號：21+封裝：TO-251數量：1400QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-251-3通道數量：1Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：200VId-連續漏極電流：3對比
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Onsemi 場效應管 FDC3612 表面貼裝型 N 通道 2.6A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FDC3612 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-21 瀏覽次數 7 技術參數品牌：Onsemi型號：FDC3612批號：21+封裝：SOT23-6數量：60000QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SSOT-6晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：100VId-連續漏極電流：2對比
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Onsemi 場效應管 NTMD4840NR2G MOSFET NFET SO8 30V 7.5A 0.034R 參考價 ￥面議
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品牌 型號 NTMD4840NR2G 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-21 瀏覽次數 7 技術參數品牌：Onsemi型號：NTMD4840NR2G批號：21+封裝：SOP8數量：50000QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOIC-8通道數量：2Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續漏極電流：4對比
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Onsemi 場效應管 FDD16AN08A0 MOSFET 75V 50a .16Ohms/VGS=1V 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FDD16AN08A0 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-21 瀏覽次數 9
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Onsemi 場效應管 FQD2N100TM MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FQD2N100TM 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-21 瀏覽次數 6 技術參數品牌：Onsemi型號：FQD2N100TM批號：21+封裝：TO252數量：50000QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：1kVId-連續漏極電流：1對比
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IPD50N04S4-10 22+新批號 20V至40V N通道汽車用MOSFET 參考價 ￥面議
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品牌 型號 IPD50N04S4-10 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-20 瀏覽次數 9
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原裝AO3401 誠信供應 參考價 ￥面議
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品牌 型號 AO3401 類型 RF晶體管 廠商性質 其他 更新時間 2023-11-16 瀏覽次數 12 技術參數品牌：AOS型號：AO3401批號：19+封裝：SOT23-3L數量：30000QQ：Categories：DiscreteSemiconductorProductsSupplierDevicePackage：SOT-23-3Package/Case：TO-236-3對比
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