AZ ® 300MIF 為2.38％TMAH（四甲基氫氧化銨）

AZ 400K MIC基于緩沖的KOH，通常以1：4稀釋度使用

AZ ® EBR溶劑

PGMEA = EBR溶劑（乙酸1-甲氧基-2-丙酯）
PGMEA為溶劑/稀釋劑幾乎所有AZ的® 和TI光致抗蝕劑，由于其低蒸汽壓力和它在顆粒形成抑制（進一步稀釋）抗蝕劑。另外，由于PGMEA的低蒸氣壓阻止了涂覆的抗蝕劑膜的進一步變薄，因此它通常用于去除邊緣的珠粒。

AZ ® 100去膠液
是基于溶劑和胺。用于光致抗蝕劑具有低位進攻鋁剝離。使用乙醇胺可降低危害。
低蒸發速率允許在高溫（80°C）下使用，高效率（每升> 3000個晶片）有助于節省成本。不用擔心鋁的侵蝕，甚至可以用水稀釋。

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