概括

SU-8 2000是一種高對比度，基于環(huán)氧的光致抗蝕劑，設計用于微加工和其他微電子應用，需要厚，化學和熱穩(wěn)定的圖像。 SU-8 2000是SU-8的改進配方，多年來已被MEMS生產商廣泛使用。使用更快干燥，極性更大的溶劑系統(tǒng)可改善涂層質量并提高工藝產量。 SU-8 2000有十二種標準粘度。通過單道涂覆工藝可以實現(xiàn)0.5至> 200微米的膜厚。使膜的暴露的和隨后熱交聯(lián)的部分不溶于液體顯影劑。

加工準則

SU-8 2000光刻膠通常用常規(guī)的UV（350-400 nm）輻射曝光，盡管建議使用i-line（365 nm）波長。 SU-8 2000也可能會受到電子束或X射線輻射的照射。 曝光后，交聯(lián)在兩個步驟中進行（1）在曝光步驟中形成強酸，然后（2）在曝光后烘烤（PEB）步驟中進行酸催化的熱驅動環(huán)氧交聯(lián)。 正常過程是：旋涂，軟烤，曝光，PEB，然后顯影。

SU-8 2000功能

?高縱橫比成像

?單層涂膜厚度為0.5至> 200mm

?改善涂層性能

?更快干燥以提高產量

?近紫外線（350-400 nm）處理

?垂直側壁

硬烤（固化）

SU-8 2000具有良好的機械性能。但是，對于要保留成像的抗蝕劑作為最終設備一部分的應用，可以將硬烘烤結合到該過程中。通常僅在最終設備或零件在正常運行期間要進行熱處理時才需要這樣做。添加了硬烘烤或最終固化步驟，以確保SU-8 2000的性能在實際使用中不會改變。 SU-8 2000是一種熱敏樹脂，因此暴露于比以前高的溫度下，其性能會不斷變化。我們建議使用的最終烘烤溫度要比設備的預期工作溫度高10°C。根據(jù)所需的固化程度，通常使用的烘烤溫度范圍為150°C至250°C，烘烤時間為5至30分鐘。注意：硬烘烤步驟還可用于對顯影后可能出現(xiàn)的任何表面裂紋進行退火。建議的步驟是在150°C下烘烤幾分鐘。這適用于所有膜厚度

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